Transistor 3D – Allo stato attuale, la creazione di microchip avviene addensando quanti più transistor possibili su una singola superficie di silicio. Sino ad oggi, la Legge di Moore si è dimostrata efficace in questo particolare ambito, la densità di transistor su chip è effettivamente raddoppiata con cadenza biennale, ma si è sempre alla ricerca di metodi per superare questo paradigma. Dal Giappone, precisamente dalle Università di Nara ed Osaka, arriva una novità potenzialmente rivoluzionaria: usando microscopi a effetto tunnel (STM), i ricercatori sono riusciti a visualizzare le parti laterali di singoli cristalli di silicio.
Ma c’è di più: usando una particolare tecnica di ionizzazione, si è riusciti a rendere queste superfici perfettamente “lisce” a livello atomico, aprendo così la strada alla creazione di transistor 3D ad effetto di campo. Questa tipologia di transistor, inseguita a lungo ma non ancora realizzabile a livello pratico, permette agli elettroni (e quindi alla corrente elettrica) di distribuirsi non su un solo piano, come avviene nei chip di oggi, ma nello spazio intorno a loro. Ne consegue che a parità di spazio, la potenza di calcolo di un chip potrebbe triplicarsi o più. Lo scienziato Hidekazu Tanaka afferma: “La nostra capacità di guardare direttamente le superfici laterali usando microscopi STM dimostra che possiamo costruire strutture artificiali in 3D con superfici atomiche ordinate in modo pressoché perfetto”.
